1、减少尺寸，重量

　　多电平的拓扑结构只需要一个更小的滤波器以获得一个干净的正弦波形。这意味着，一个三电平的UPS电源与传统的两电平的UPS电源相比较具有更小的尺寸。因此，三电平结构的UPS电源需要较少的空间和基础结构，并确保有足够的维修和重新布局的空间。

　　2、效率高

　　尽管三电平变换器的元件数量较多，实际上与传统的两电平拓扑结构相比，整体效率却提高了。事实是因为多电平变换器的功率半导体器件上只承受较低 的电压应力，IGBT和二极管的额定电压可以降低而不会影响其性能和可靠性。对于任何给定的电流，额定电压较低的功率半导体拥有良好的导通和开关特性。在此条件下，上述使用NPC拓扑结构的UPS电源(三相额定电压380V)可以由600V的IGBT来构成。在传统的使用两电平的拓扑结构中，一台同样规格的 UPS电源将需要12OOV的IGBT。图8显示了12OOV级IGBT和来自同一制造商一个600V级的同代IGBT的饱和电压几乎是一样的。然而，在开关 特性方面，600V的IGBT展现出的优势。

　　下述方程式(1)一(3)是一个IGBT的平均功耗分析的表达式

　　Ps-st是一个IGBT的平均导通损耗;Ps-off和Ps-on是平均的开关损耗(分别为关闭和开通);UCE是应用于器件上的电压;UCE(sat)是在集电极和发射极之间开通状态的电压降,Io是通过设备的电流;Ii是结 温,k是在一个开关周期T的脉冲数。

　　式(1)主要表明，导通损耗是集电极电流(I。)和通态的电压降(UCE(sat))的函数。因此，对一个特定的电流等级，三电平的功率变换器表现出劣势，因为开关元件的数量是两电平变换器的双倍。

　　另一方面，在开关损耗方面，三电平变换器显示出在效率方面有显著的提高。式m及式(3)主要表明，开关损耗是开关频率(K和1/T，施加在IGBT的电压(VCE)，集电极电流(Io)和结温(Tj)的函数。因此，对于一个给定的开关频率，电流和结温，由于在每一个功率开关上的电压的减少以及低电压等级的IGBT具有更好的开关特性，三电平变换器的开关损耗减少了。对反并联二极管及钳位二极管的功率损耗的分析同样如此。